申请/专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司

申请日：2024-01-12

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878207A

主分类号：H01L33/20

分类号：H01L33/20;H01L33/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明公开了一种III‑V族半导体发光器件及其制备方法。所述制备方法包括形成n型半导体层、发光层、p型半导体层的步骤；其中p型半导体层的制作步骤包括：依次生长种子层、第一氮化物材料层、第一凸起结构、第二氮化物材料层和第二凸起结构；并以暴露的第二氮化物材料层作为生长模板生长第一、第二图形结构，从而形成p型半导体层。本发明的半导体发光器件利用交错排布的第一、第二凸起结构形成不同尺寸且相互交错的第一图形结构和第二图形结构，降低了从发光层射向p型半导体层表面的光线的全反射程度，提高了发光器件的出光效率，从而提高了亮度和发光效率；同时，本发明相比于现有技术简化了工艺流程，降低了工艺复杂程度和生产成本。

主权项：1.一种III-V族半导体发光器件的制备方法，包括依次形成n型半导体层、发光层以及p型半导体层的步骤；其特征在于，形成所述p型半导体层的步骤具体包括：在所述发光层表面生长种子层；在所述种子层表面生长第一氮化物材料层，所述第一氮化物材料层为连续膜层；在所述第一氮化物材料层的表面生长第一凸起结构，多个所述第一凸起结构之间或所述第一凸起结构的不同部位之间形成有间断结构；在从所述间断结构中暴露出的部分第一氮化物材料层表面继续外延生长第二氮化物材料层；在所述第二氮化物材料层表面生长第二凸起结构；以从所述第一凸起结构和第二凸起结构之间暴露的第二氮化物材料层作为生长模板，生长第一图形结构和第二图形结构，并至少以所述第一图形结构和第二图形结构组成所述p型半导体层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江苏第三代半导体研究院有限公司 Ⅲ-Ⅴ族半导体发光器件及其制备方法

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