申请/专利权人：浙江大学

申请日：2024-02-04

公开（公告）日：2024-05-03

公开（公告）号：CN117976760A

主分类号：H01L31/11

分类号：H01L31/11;H01L31/112;H01L31/0336;H01L31/0352;H01L31/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.21#实质审查的生效;2024.05.03#公开

摘要：本发明提供了一种可应用于日盲紫外探测的光电晶体管，所述光电晶体管依次包括硅层、HfO2层、六方氮化硼层、二维材料层、与所述的二维材料层电接触的源极和漏极。应用于光电探测器时，不仅集成了常规异质结光电探测器和电荷耦合器件的工作原理，而且创造性地开拓了高介电常数绝缘材料的电容和极化效应以及界面效应。本发明的光电探测器是两端器件，即光电响应产生的电荷由二维材料层以电流信号表现出来，工作电压只需要施加在与二维材料形成电接触的两个电极。本发明光电探测器在200–2000nm光谱范围具有优异的光响应特性、可以日盲紫外探测等应用，本发明光电探测器具有极低的工作电压等特征。

主权项：1.一种可应用于日盲紫外探测的光电晶体管，其特性在于，所述光电晶体管依次包括硅层、HfO2层、六方氮化硼层、二维材料层、与所述的二维材料层电接触的源极和漏极；所述的硅层与HfO2层的界面存在HfSiOx界面层，4≥x0；优选的，所述界面层中Si原子的分布随着远离硅层的方向逐渐降低，Hf和O原子的分布随着远离HfO2层的方向逐渐降低；优选的，所述HfSiOx界面层的禁带宽度为3.62±0.41eV；优选的，所述硅层中的硅材料为n型硅材料；优选的，所述硅层中的硅材料的电阻率在10-500Ω·m，更优选100-500Ω·m；优选的，所述二维材料层包括石墨烯薄膜、过渡金属硫族化合物薄膜中的任意一种或以上的复合材料；更优选的，所述过渡金属硫族化合物薄膜选自MoS2、PtSe2、WS2、PdSe2的任意一种或多种。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江大学 一种可应用于日盲紫外探测的光电晶体管

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD