申请/专利权人:湖北九峰山实验室
申请日:2023-11-08
公开(公告)日:2024-03-15
公开(公告)号:CN117712158A
主分类号:H01L29/778
分类号:H01L29/778;H01L21/34;H01L29/08;H01L29/417
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.02#实质审查的生效;2024.03.15#公开
摘要:本发明涉及半导体器件技术领域,提供一种亚微米源漏的宽禁带半导体HEMT器件及其制作方法,HEMT器件包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、第一欧姆金属层及第二欧姆金属层;第一欧姆金属层包括第一欧姆金属部和第二欧姆金属部,第一欧姆金属部和第二欧姆金属部均布设于势垒层,第一欧姆金属部与第二欧姆金属部之间存在第一间距;第二欧姆金属层包括第三欧姆金属部和第四欧姆金属部,第三欧姆金属部与第一欧姆金属部部分交叠重合,第四欧姆金属部与第二欧姆金属部交叠重合。该HEMT器件的第一欧姆金属层及第二欧姆金属层形成的源漏电极为双层欧姆金属交叠形成,能够实现缩小源漏间距至小于1μm,对提高器件的频率特性有重要作用,具有低成本高效率的优势。
主权项:1.一种亚微米源漏的宽禁带半导体HEMT器件,其特征在于,包括:衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、第一欧姆金属层及第二欧姆金属层;所述沟道层、所述缓冲层和所述势垒层依次叠加设置于所述衬底上;所述第一欧姆金属层包括第一欧姆金属部和第二欧姆金属部,所述第一欧姆金属部和所述第二欧姆金属部均布设于所述势垒层上,所述第一欧姆金属部与所述第二欧姆金属部之间存在第一间距;所述第二欧姆金属层包括第三欧姆金属部和第四欧姆金属部,所述第三欧姆金属部和所述第四欧姆金属部均布设于所述势垒层上,且所述第三欧姆金属部与所述第一欧姆金属部部分交叠重合,所述第四欧姆金属部与所述第二欧姆金属部部分交叠重合。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 湖北九峰山实验室 一种亚微米源漏的宽禁带半导体HEMT器件及其制作方法
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