申请/专利权人:恒泰柯半导体(上海)有限公司
申请日:2023-12-13
公开(公告)日:2024-03-19
公开(公告)号:CN117727785A
主分类号:H01L29/78
分类号:H01L29/78;H01L29/06
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开
摘要:本发明涉及一种屏蔽栅MOSFET结构,包括栅PAD区域和并联元胞区,所述PAD区域设置有栅极引线,所述栅极引线延伸至所述并联元胞区,所述并联元胞区分为第一阈值元胞区和第二阈值元胞区,所述第一阈值元胞区位于所述栅PAD区域周围和所述栅极引线近端;所述第二阈值元胞区位于所述栅极引线远端;所述第一阈值元胞区的阈值电压高于所述第二阈值元胞区的阈值电压。本发明能够提高器件的可靠性。
主权项:1.一种屏蔽栅MOSFET结构,包括栅PAD区域和并联元胞区,所述PAD区域设置有栅极引线,所述栅极引线延伸至所述并联元胞区,其特征在于,所述并联元胞区分为第一阈值元胞区和第二阈值元胞区,所述第一阈值元胞区位于所述栅PAD区域周围和所述栅极引线近端;所述第二阈值元胞区位于所述栅极引线远端;所述第一阈值元胞区的阈值电压高于所述第二阈值元胞区的阈值电压。
全文数据:
权利要求:
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