申请/专利权人：北京无线电测量研究所

申请日：2022-07-19

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN115394758B

主分类号：H01L23/58

分类号：H01L23/58;H01L29/40;H01L29/872;H01L21/34

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2022.12.13#实质审查的生效;2022.11.25#公开

摘要：本发明实施例公开了一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法，在一个具体示例中，所述氧化镓肖特基二极管自下而上包括：第一欧姆接触金属层、第二欧姆接触金属层、氧化镓基底层和氧化镓本征层，所述氧化镓本征层的上方设置有场板；在所述氧化镓本征层和场板上方设置有肖特基电极和浮动金属环；所述浮动金属环包括1‑3个等环间距设置的金属环，环间距为1‑7μm，环宽度为0.5‑15μm。所述氧化镓肖特基二极管，通过在氧化镓本征层上方布置场板和浮动金属环，将击穿电压分散，使氧化镓肖特基二极管的电场强度分布均匀化，提高了二极管的抗击穿能力。

主权项：1.一种氧化镓肖特基二极管，自下而上包括：第一欧姆接触金属层、第二欧姆接触金属层、氧化镓基底层和氧化镓本征层，其特征在于，所述氧化镓本征层的上方设置有场板；在所述氧化镓本征层和场板上方设置有肖特基电极和浮动金属环，其中，所述肖特基电极部分与所述氧化镓本征层接触，部分与所述场板接触；所述浮动金属环仅与所述场板接触；所述浮动金属环包括1-3个等环间距设置的金属环，环间距为1-7μm，环宽度为0.5-15μm；所述场板的材质为SiO2、SiNx、Al2O3、ZrO2或HfO2，其厚度为2-200nm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京无线电测量研究所 一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法

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