申请/专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司

申请日：2024-02-23

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810253A

主分类号：H01L29/423

分类号：H01L29/423;H01L29/778;H01L29/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：一种双栅HEMT器件，包括：由下至上依次层叠设置的衬底、缓冲层、沟道层和第一势垒层；依次间隔设置在所述第一势垒层上的源极结构、第一栅极结构、第二栅极结构和漏极结构；所述第一栅极结构与所述源极结构电连接。通过在第二栅极结构与源极结构之间设置一个与源极结构电连接的第一栅极结构，可以在双栅HEMT器件处于关断状态的时候，在第一栅极结构的下方的沟道层中会积累电子，一旦双栅HEMT器件导通，在第一栅极结构下方的沟道层中积累的电子将迅速移动到第二栅极结构下方的沟道层中的耗尽区，缓解电流坍塌。

主权项：1.一种双栅HEMT器件，其特征在于，包括：由下至上依次层叠设置的衬底、缓冲层、沟道层和第一势垒层；依次间隔设置在所述第一势垒层上的源极结构、第一栅极结构、第二栅极结构和漏极结构；所述第一栅极结构与所述源极结构电连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳天狼芯半导体有限公司 双栅HEMT器件

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