申请/专利权人：研微(江苏)半导体科技有限公司

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117802577A

主分类号：C30B25/10

分类号：C30B25/10;C30B29/36;C23C16/46

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本申请提供了一种半导体外延生长设备，包括：反应腔体和感应线圈，其中，所述感应线圈设置在所述反应腔体的外周，所述感应线圈沿工艺气体的流动方向具有第一端和第二端，所述第一端靠近工艺气体入口，所述第二端靠近工艺气体出口，所述反应腔体内设置有基片托盘，所述基片托盘用于承载和旋转基片，其中，沿所述工艺气体的流动方向，位于所述感应线圈的中部的线圈的螺距大于位于所述感应线圈的两端的线圈的螺距，所述感应线圈的圈数中心不同于所述基片托盘的托盘旋转中心。采用本申请的半导体外延生长设备能够提高基片表面的温度均匀性，有利于提高薄膜质量。

主权项：1.一种半导体外延生长设备，其特征在于，包括：反应腔体和感应线圈，其中，所述感应线圈设置在所述反应腔体的外周，所述感应线圈沿工艺气体的流动方向具有第一端和第二端，所述第一端靠近工艺气体入口，所述第二端靠近工艺气体出口，所述反应腔体内设置有基片托盘，所述基片托盘用于承载和旋转基片，其中，沿所述工艺气体的流动方向，位于所述感应线圈的中部的线圈的螺距大于位于所述感应线圈的两端的线圈的螺距，所述感应线圈的圈数中心不同于所述基片托盘的托盘旋转中心。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 研微(江苏)半导体科技有限公司 半导体外延生长设备

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