申请/专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司

申请日：2024-02-23

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810249A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：一种P型栅HEMT器件及其制备方法，P型栅HEMT器件包括由下至上依次层叠设置的衬底层、缓冲层、沟道层和势垒层；以及沿第一方向依次相互间隔地设置在势垒层上的源极结构、栅极结构和漏极结构。栅极结构包括P‑GaN结构层和栅极金属层，P‑GaN结构层设置在势垒层上，栅极金属层设置在P‑GaN结构层上；P‑GaN结构层包括沿第二方向依次相互间隔地设置在势垒层上的多个P‑GaN子结构，其中，第一方向与第二方向相互垂直。通过在第一方向上延伸的P‑GaN子结构，可以起到类场板的作用，均匀源极结构到漏极结构之间的电场，提高器件耐压，且不额外引入电容。此外，P‑GaN结构层还可以作为钝化层，有利于提升抗电流崩塌能力。

主权项：1.一种P型栅HEMT器件，其特征在于，包括：由下至上依次层叠设置的衬底层、缓冲层、沟道层和势垒层；以及沿第一方向依次相互间隔地设置在所述势垒层上的源极结构、栅极结构和漏极结构；所述栅极结构包括P-GaN结构层和栅极金属层，所述P-GaN结构层设置在所述势垒层上，所述栅极金属层设置在所述P-GaN结构层上；所述P-GaN结构层包括沿第二方向依次相互间隔地设置在所述势垒层上的多个P-GaN子结构，其中，所述第一方向与所述第二方向相互垂直，各个所述P-GaN子结构均沿所述第一方向延伸，所述P-GaN子结构在所述第一方向上的长度大于所述栅极金属层在所述第一方向上的宽度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳天狼芯半导体有限公司 P型栅HEMT器件及其制备方法

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