申请/专利权人：湖北九峰山实验室

申请日：2024-03-07

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878157A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L27/088

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本申请提供一种沟槽MOSFET器件及沟槽MOSFET器件阵列，通过分别形成掩埋区和第三掺杂区，可以精确控制掩埋区和第三掺杂区的宽度，进而，对于相邻的沟槽MOSFET器件，可以精确控制掩埋区之间的距离，以及第三掺杂区之间的距离，由于相邻掩埋区之间以及相邻第三掺杂区之间会形成JFET区，通过设置相邻的第三掺杂区之间的距离大于相邻的掩埋区之间的距离，进而使得相邻的第三掺杂区之间形成电阻更小的JFET区，降低了器件的导通电阻，且增加了电流扩展空间，增大器件导通电流，可以提升沟槽MOSFET器件的导通特性，同时掩埋区可以很好的保护栅极槽角，提升沟槽MOSFET的整体器件性能。

主权项：1.一种沟槽MOSFET器件，其特征在于，包括：沿第一方向依次堆叠的漏极金属层、衬底层、外延层、电流扩展层、阱层、源区和源极金属层；所述衬底层、所述外延层和所述电流扩展层具有第一掺杂类型，所述阱层具有与所述第一掺杂类型相反的第二掺杂类型；与所述电流扩展层、所述阱层、所述源区和所述源极金属层同层，且设置在沟槽内的栅极结构；所述源区包括具有所述第一掺杂类型的第一掺杂区，以及具有所述第二掺杂类型的第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述栅极结构相邻；位于所述外延层内的掩埋区，所述掩埋区具有所述第二掺杂类型；与所述电流扩展层同层设置且具有所述第二掺杂类型的第三掺杂区，所述第三掺杂区与所述掩埋区相连；在相邻的沟槽MOSFET器件中，相邻的所述第三掺杂区之间的距离大于相邻的所述掩埋区之间的距离。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湖北九峰山实验室 一种沟槽MOSFET器件及沟槽MOSFET器件阵列

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