申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2015-07-23

公开（公告）日：2020-09-15

公开（公告）号：CN111668217A

主分类号：H01L27/092(20060101)

分类号：H01L27/092(20060101);H01L21/8238(20060101);H01L21/762(20060101)

优先权：["20141126 US 14/554,682"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.10.13#实质审查的生效;2020.09.15#公开

摘要：本发明提供了鳍式场效应晶体管FinFET器件结构以及用于形成FinFET器件结构的方法。FinFET器件结构包括衬底以及在衬底之上延伸的第一鳍结构和第二鳍结构。FinFET器件结构也包括形成在第一鳍结构上的第一晶体管和形成在第二鳍结构上的第二晶体管。FinFET器件结构还包括在第一晶体管和第二晶体管之间的端到端间隙中形成的层间介电ILD结构，并且端到端间隙具有在从约20nm至约40nm的范围内的宽度。本发明的实施例还涉及具有可控端到端临界尺寸的鳍式场效应晶体管FinFET器件及其形成方法。

主权项：1.一种鳍式场效应晶体管FinFET器件结构，包括：衬底；第一鳍结构和第二鳍结构，在所述衬底之上延伸；第一晶体管，形成在所述第一鳍结构上；第二晶体管，形成在所述第二鳍结构上；以及层间介电结构，形成在所述第一晶体管和所述第二晶体管之间的端到端间隙中，其中，所述端到端间隙的侧壁为垂直侧壁，并且所述端到端间隙具有在从10nm至50nm的范围内的宽度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 鳍式场效应晶体管（FinFET）器件结构

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