申请/专利权人：深圳镓楠半导体科技有限公司

申请日：2023-12-25

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727780A

主分类号：H01L29/778

分类号：H01L29/778;H01L29/40;H01L29/423;H01L21/335

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本申请提供了一种耗尽型氮化镓HEMT器件，包括：异质结；形成在所述异质结上的栅介质部；形成在所述异质结上源电极和漏电极；形成在所述栅介质部上的栅极机构，所述栅极机构包括至少一个中间部和与所述中间部对应的栅极部，所述中间部具有自上而下逐渐向内倾斜的导向单元，所述栅极部包括形成在所述导向单元上的倾斜单元和自所述倾斜单元的下端水平向内延伸的水平单元。本申请通过在各层场板的台阶处增加中间部，能够减缓台阶处的坡度，形成较为平滑的台阶，并且还可以在此缓坡上形成的场板结构，各层之间衔接较为平滑，这样会优化器件的电场分布，降低电场分布。同时，此结构也不会增加工艺的光掩膜版，成本较低。

主权项：1.一种耗尽型氮化镓HEMT器件，其特征在于，包括：异质结；形成在所述异质结上的栅介质部；形成在所述异质结上源电极和漏电极；形成在所述栅介质部上的栅极机构，所述栅极机构包括至少一个中间部和与所述中间部对应的栅极部，所述中间部具有自上而下逐渐向内倾斜的导向单元，所述栅极部包括形成在所述导向单元上的倾斜单元和自所述倾斜单元的下端水平向内延伸的水平单元。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳镓楠半导体科技有限公司 耗尽型氮化镓HEMT器件及其制造方法

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