申请/专利权人：深圳市威兆半导体有限公司

申请日：2020-11-04

公开（公告）日：2021-04-13

公开（公告）号：CN212967713U

主分类号：H01L29/78(20060101)

分类号：H01L29/78(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/10(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.04.13#授权

摘要：本实用新型公开一种具有均匀掺杂沟道的屏蔽栅MOSFET器件，在现有屏蔽栅MOSFET器件基础上，优化第一导电类型体区结构，增加了器件在耐压的状态下第一导电类型体区内耗尽区的延展宽度；同时减小了低压应用下第一导电类型体区的漏电流，降低了第一导电类型体区在耐压过程中的穿通风险；还可以获得更低的第一导电类型体区的寄生电阻，避免了器件中寄生三极管的开启，提高了器件的可靠性。

主权项：1.一种具有均匀掺杂沟道的屏蔽栅MOSFET器件，包括元胞结构，其特征在于，所述元胞结构包括从下至上依次层叠的金属漏极、重掺杂第二导电类型半导体漏区、第二导电类型半导体漂移区、金属源极；所述第二导电类型半导体漂移区的上层一侧设有沟槽栅极结构；所述第二导电类型半导体漂移区的上层另一侧设有第一导电类型基区，第一导电类型基区的上表面设有相互接触的重掺杂第一导电类型半导体源区、重掺杂第二导电类型半导体源区；所述沟槽栅极结构的下表面、侧壁以及上表面均设有隔离介质，用于隔离第二导电类型半导体漂移区、第一导电类型基区、重掺杂第二导电类型半导体源区、金属源极；所述重掺杂第一导电类型半导体源区与第一导电类型基区内置有重掺杂第一导电类型多晶硅柱区。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市威兆半导体有限公司 一种具有均匀掺杂沟道的屏蔽栅MOSFET器件

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD