申请/专利权人：意法半导体(R&D)有限公司;意法半导体(克洛尔2)公司

申请日：2023-07-11

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN220774373U

主分类号：H01L27/146

分类号：H01L27/146

优先权：["20220711 EP 22306043.5","20230710 US 18/220,082"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权

摘要：本公开的实施例涉及半导体器件。一种半导体器件包括衬底中的单光子雪崩二极管和电阻器。电阻器被提供为安置在绝缘沟槽上，绝缘沟槽位于单光子雪崩二极管的掺杂阳极区域中。

主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：单光子雪崩二极管，在衬底的一部分中，并且所述单光子雪崩二极管包括：阳极，包括第一掺杂区域，所述第一掺杂区域具有与所述部分的上部面共面的上部面；阴极，包括第二掺杂区域，所述第二掺杂区域具有与所述部分的所述上部面共面的上部面；以及绝缘沟槽，位于所述阳极的所述第一掺杂区域中；以及电阻器，安置在所述绝缘沟槽上。

全文数据：

权利要求：

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